esd静电二极管(怎么用万用表测线的阻抗)
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2023-11-18
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1. esd静电二极管,怎么用万用表测线的阻抗?
1.使用数字万用表测量电阻之前,一般都需要先把数字万用表的指针调在零的位置上,然后可以使用数字万用表开始测量电阻。若要使用数字万用表来测量电阻的话,还应该先把数字万用表摆放在水平的位置,从而避免测量的过程中出现误差。
2.接下来应该把数字万用表上的黑笔插入标注了字母“COM”的插孔中,再把红笔插入标注了字母“VΩ”的插孔中,再选择适合的电阻量程。然后再把黑笔和红笔分别接在电阻的两端。
3.这时一定要注意千万不要用手去触碰黑笔和红笔的金属部位,否则会影响到电阻测量结果的精确性,或者是引发触电事故。然后再把数字万用表的显示屏上所显示的数值和电阻量程的数值结合在一起,就可以得出电阻的测量结果了。
4.使用数字万用表测量电阻的过程中,一般不可以换档位,特别是在测量电压较高的电器时,更是不能换档位,否则容易导致数字万用表出现损坏。假如必须要换档位的话,那么就应该先把黑笔和红笔先断开,然后再开始换挡。
5.测量结束以后,还需要把数字万用表的转换开关电压调到最大的位置。假如长时间不使用数字万用表的话,那么最好是把数字万用表内部的电池拆卸下来,若电池长时间被放置在数字万用表的内部,而数字万用表又长时间没有被使用的话,就容易导致数字万用表内部的器件被腐蚀,导致数字万用表无法正常使用。
![esd静电二极管(怎么用万用表测线的阻抗)](/static/artimg/20231105/65477b99aeb66.jpg)
2. SMT打首件的基本流程是什么?
在SMT工厂,SMT首件检测机测试流程是怎么样的?
我们先来看一下传统的首件检测流程:
一、操作员送首件和首件报到IPQC台
1、报告的首三行内容要完整填写:并有生产班长、工程、操作员的签名。
二、IPQC收到首件报告后根据内容找出生产通知单,按要求找出BOM、ECN、IQC检验报告、特殊工艺事项。
2.1、BOM要在生产前用彩色的笔分AB面:
2.2、分面的时候要依据PCB的白油丝印,不能使用工程的程序
2.3、ECN发放后要立刻夹在最新的BOM后面并在发放记录上登记
2.4、当新的BOM发放下来后一定要找到旧版本的BOM写上“作废”并上交给工程摧毁。
三、进行首件检査。(校对过程中如有问题请用铅笔在BOM上记录备注。
3.1、BOM其中有一项是提供版本信息内容。第一个校对的信息是PCB版本、客户、机型。
3.2、按IC到阻容料的规律。对IC的型号规格、对IC的方向。
3.3、对高的元件,从大到小,比如变压器、铝电解电容等异形元件。
3.4、对三极管、二级管、灯仔(灯的颜色)的规格和方向,稳压管要测试压降。
3.5、对ESD管、磁珠、保险丝等
3.6、对电容、电阻,依据从大到小原则:1206、0805、0603、0402、0201
3.7、对手帖的物料,USB座、SD卡座、天线、锅仔按钮等,注意方向。
3.8、对BOM的每一项检查是否没有打勾的位号并核对。
3.9、如有样板时请和样板校对一次
3.10、对备注的问题审核一次,如有不清楚时请提示其他部门同事是否有确定时请上级处理。
3.11、检查PCBA的班别记号、日期记号,位置、大小是否合适。
3.12、如果是有BGA的产品,监督工程师在没有过炉前照ⅹ光,检査焊盘和引脚是否对好。
3.13、对首件打Q记号并过炉:检査首件的焊接情况,注意电感、带散热片的IC是否熔锡;照X光。
3.14、将首件挂标示卡送炉后QC,通知QC检查注意事项及一些检查方法。
3.15、如果是带BGA的产品,首批小于5PCS,过炉并照X光,确认没有问题后选一块PCBA标示样板给炉前,作为参考依据。
四、记录
4.1、记录炉温、链带速度等。
4.2、对红胶板要进行推力测试并记录。首件要备注:推力OK.
4.3、对锡膏板要备注锡膏的名称及有铅/无铅。
4.4、记录新ECN的执行、特殊工艺的执行、BOM的编号。
4.5、签名,送班长确认。
五、生产
5.1、通知生产部正常生产
5.2协助和监督炉后的产品标识、隔离。
5.3、生产线每一个工位巡检一
使用FAI-E680首件检测仪流程:
一、操作员将待检首件送至IPQC工作台
二、IPQC收到首件后,按具体型号在检测仪找到相对应的BOM表及坐标文件。
2.1.将BOM表及坐标文件分别导入首件检测系统
2.2.自动对比BOM及坐标文件错误
2.3.自动识别各元件类型及标准值,上下限值
三、首件测试
3.1、新建待测首件测试报表
3.2、将待测首件放入检测仪内,扫描首件图片并自动识别空焊元件
3.3、开始测试阻容元件并自动判定 PASSFAIL(有声光报警)
3.4、对IC、三极管、二极管等不可测量元件,可调出元件库进行型号规格方向对比
四、保存及上传报表
4.1测试完成后,系统自动生成首件测试报表,可以选择保存报表(支持 excel和PDF格式)或上传报表至MES、ERP系统。
FAI-E680智能首件检测仪优势:
1.操作简单,简单培训即可上机操作,非常方便。
2.节约人力,传统SMT做首件需要两个人,现在一个人完全可以担当。
3.节省时间,使用E680智能首件检测仪工作效率可以提升80%以上。
4.防止错漏,所有检测都通过系统记录标记并生成报告,完全杜绝错漏。
3. 静电保护器的作用是什么?
近年来,移动设备手机在生活中扮演了越来越重要的角色,人们用它来娱乐、沟通、工作,根本离不开它。随着手机硬件技术的发展,人们对这种小型设备的要求不再局限于外形和功能,对其集成电路(IC)的稳定性及可靠性更是有了严苛的要求,人们在更多的场合使用手机,这意味着电路必须能够承受温度,电压,电流变动甚至是静电放电的影响。伴随着手机功能多样性的增加,其输入输出接口的增加也使得各种外界骚扰获得了更多的途径入侵到手机设备中。
屏幕、摄像头、扬声器、听筒、耳机插口、键区、MIC、USB接口、音量键、T-Flash卡、SIM卡这些端口都能成为静电的入口,一旦ESD通过经过会损坏芯片造成手机无法正常工作。我们在设计电路时可以使用ESD静电保护器,它的作用是转移来自敏感元件的ESD应力,在极短的效应时间内达到很低的钳位电压,使电流流过保护元件而不对敏感元件造成影响,从而使得ESD事件被有效抑制。
ESD静电保护器主要有两种:ESD二极管和贴片压敏电阻。由于手机上的部分端口都是用来传输数据的,在选择静电保护元件时应该根据传输频率来选择电容值,频率越高,器件的容值就要越低,容值达影响信号丢包。必须考虑如何为设备提供最有效的ESD保护,同时满足系统尺寸和成本的要求。`
4. 怎么看待格力电器30亿参与闻泰科技收购安世集团事件?
怎么看待格力电器30亿参与闻泰科技收购安世集团事件?看来格力电器并不满足于把空调组装好即可。格力电器在董明珠的带领下想要在多方位开花结果,闻泰科技、安世集团都是董明珠想要把他们拉在格力电器产业链里来考虑的对象,让格力电器也在半导体的发展里分得一杯羹。
闻泰科技是全球手机ODM最大公司,具有研发设计及制造手机的公司,可能我们手中所用的一部分手机特别是1000元及以下的各种品牌的手机,即是由闻泰科技所设计研发、制造的手机,只是贴上了别人响当当的品牌而已。而安世集团可是荷兰半导体巨头恩智浦的前标准件业务,集设计、制造、封测一身是典型的垂直整合半导体公司。在全球标准件业务中是全球领先,在二极管和晶体管市场全球排名第一、逻辑器件全球第二、ESD保护器和MOSFETs是全球第二,可见这家公司的实力。
闻泰科技收购安世半导体即是为了打通上游关系,有机会成为中国最有竞争力的半导体公司之一,特别是标准件的供给由此变得通畅而不被外部所卡。而且相对来说,自己内部使用部件价格也有相当的竞争力。但闻泰科技这次的蛇吞象却还是差些实力,安世半导体在短短时间内的估值犹如坐火箭般蹿升,于是拉来了身材胖硕的格力电器。
而格力电器显然也想在半导体领域里好好分享下发展的红利,同时为自己芯片事业的发展带来益处。在前段时间格力电器成立的零边界半导体公司,目的就是为了自己芯片能够自己掌握,而减少对外依赖。本次参与收购安世半导体,目的就是希望整合在自己的芯片产业链条里,有设计研发、也有自己所参股公司高品质的标准件、自家芯片品质能够开花结果,为自家空调事业添砖加瓦,从这个角度看格力电器也是值得花这笔钱参与收购。只是也要擦亮眼睛,避免出现银隆似的坑儿。
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5. esd二极管使用方法?
esd二极管在线路板上与被保护线路并联,当瞬时电压超过电路正常工作电压后,防静电二极管便发生雪崩,提供给瞬时电流一个超低电阻通路。其结果是瞬时电流通过二极管被引开,避开被保护器件,并且在电压恢复正常值之前使被保护回路一直保持截止电压。当瞬时脉冲结束以后,防静电二极管自动回复高阻状态,整个回路进入正常电压。
防静电二极管的使用
1、确定被保护电路的最大直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和“高端”容限。
2、防静电二极管额定反向关断VWM应大于或等于被保护电路的最大工作电压。若选用的VWM太低,器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。串行连接分电压,并行连接分电流。
3、防静电二极管的最大箝位电压VC应小于被保护电路的损坏电压。

4、在规定的脉冲持续时间内,防静电二极管的最大峰值脉冲功耗PM必须大于被保护电路内可能出现的峰值脉冲功率。在确定最大箝位电压后,其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流。
5、对于数据接口电路的保护,还必须注意选取具有合适电容C的防静电二极管器件。
6、根据用途选用防静电二极管的极性及封装结构。交流电路选用双极性防静电二极管较为合理;多线保护选用防静电二极管阵列更为有利。
7、温度考虑。瞬态电压抑制器可以在-55~+150℃之间工作。如果需要防静电二极管在一个变化的温度工作,由于其反向漏电流ID是随增加而增大;功耗随防静电二极管结温增加而下降,从+25℃到+175℃,大约线性下降50%雨击穿电压VBR随温度的增加按一定的系数增加。因此,必须查阅有关产品资料,考虑温度变化对其特性的影响。
防静电二极管可分为单向防静电二极管和双向防静电二极管,单向的有正负极,双向的没有正负极。防静电二极管广泛应用于半导体及敏感零件的保护,二级电源和信号电路的保护,以及防静电等。
6. 适用于rf电路的esd防护器件有哪些?
以下是适用于射频(RF)电路的ESD防护器件的一些常见选择:
1. ESD二极管(ESD diodes):ESD二极管是最常见的ESD防护器件之一。它们具有快速的响应时间和低的漏电流,并且能够有效抑制ESD事件对射频电路的影响。常见的ESD二极管包括:底部弯曲二极管(bottom-bend diode)、金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)和侧方接地二极管(sidewall grounded diode)等。
2. TVS二极管(Transient Voltage Suppressor Diodes):TVS二极管也可以用于射频电路的ESD防护。它们具有较高的功率容量和快速响应速度,能够在电压超过其额定阈值时提供快速的短路路径,以保护射频电路免受ESD事件的损害。
3. Metal Oxide Varistors(MOV):MOV是一种双向电压抑制器,可有效保护射频电路免受ESD事件的瞬态电压冲击。它们具有高电压容限和能量吸收能力,并能提供快速的响应和最小的电压偏移。
选择适合的ESD防护器件应根据具体的应用需求、射频电路的设计和特性来决定。最好在设计阶段与组件供应商或工程师进行咨询,以确保选择合适的ESD防护器件来保护射频电路免受ESD事件的损害。
7. CMOS电路ESD保护结构的设计作用是什么?
答:cmos电路简介
CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)的英文字头缩写,它由绝缘场效应晶体管组成,由于只有一种载流子,因而是一种单极型晶体管集成电路,其基本结构是一个N沟道MOS管和一个P沟道MOS管,如下图所示。
CMOS电路基本结构示意图
cmos电路工作原理
cmos电路分析工作原理如下:
由于两管栅极工作电压极性相反,故将两管栅极相连作为输入端,两个漏极相连作为输出端,如图1(a)所示,则两管正好互为负载,处于互补工作状态。
当输入低电平(Vi=Vss)时,PMOS管导通,NMOS管截止,输出高电平,如图1(b)所示。
当输入高电平(Vi=VDD)时,PMOS管截止,NMOS管导通,输出为低电平,如图1(c)所示。
两管如单刀双掷开关一样交替工作,构成反相器。
主板CMOS电路分析
一、主板CMOS电路分析-主板CMOS电路组成
1. CMOS电路由于要保存CMOS存储器中的信息,在主板断电后,由一块纽扣电池供电使CMOS电路正常工作,保证CMOS存储器中的信息不丢失。CMOS电路在得到不间断的供电和外围专用晶振提供的时钟信号后,将一直处于工作状态,可随时参与唤醒任务(即开机)。
2. CMOS电路主要由CMOS随机存储器.实时时钟电路(包括振荡器.晶振、谐振电容 等)、跳线、南桥芯片、电池及供电电路等几部分组成。
二、主板CMOS电路分析-CMOS随机存储器
CMOS随机存储器的作用是存储系统日期、时间、主板上存储器的容量、硬盘的类型和数目、显卡的类型,当前系统的硬件配置和用户设置的某些参数等重要信息,开机时由BIOS对系统自检初始化后,将系统自检到的配置与CMOS随机存储器中的参数进行比较,正确无误后才启动系统。
三、主板CMOS电路分析-实时时钟电路
1.实时时钟电路的作用是产生32. 768kHz的正弦波形时钟信号,负责向CMOS电路和开机电路提供所需的时钟信号(CLK)。实时时钟电路主要包括振荡器(集成在南桥中)、32.768kHz的晶振、谐振电容等元器件。
CMOS电路分析ESD保护结构的设计
大部分的ESD电流来自电路外部,因此ESD保护电路一般设计在PAD旁,I/O电路内部。典型的I/O电路由输出驱动和输入接收器两部分组成。ESD 通过PAD导入芯片内部,因此I/O里所有与PAD直接相连的器件都需要建立与之平行的ESD低阻旁路,将ESD电流引入电压线,再由电压线分布到芯片各个管脚,降低ESD的影响。具体到I/O电路,就是与PAD相连的输出驱动和输入接收器,必须保证在ESD发生时,形成与保护电路并行的低阻通路,旁路 ESD电流,且能立即有效地箝位保护电路电压。而在这两部分正常工作时,不影响电路的正常工作。
常用的ESD保护器件有电阻、二极管、双极性晶体管、MOS管、可控硅等。由于MOS管与CMOS工艺兼容性好,因此常采用MOS管构造保护电路。
CMOS工艺条件下的NMOS管有一个横向寄生n-p-n(源极-p型衬底-漏极)晶体管,这个寄生的晶体管开启时能吸收大量的电流。利用这一现象可在较小面积内设计出较高ESD耐压值的保护电路,其中最典型的器件结构就是栅极接地NMOS(GGNMOS,GateGroundedNMOS)。
在正常工作情况下,NMOS横向晶体管不会导通。当ESD发生时,漏极和衬底的耗尽区将发生雪崩,并伴随着电子空穴对的产生。一部分产生的空穴被源极吸收,其余的流过衬底。由于衬底电阻Rsub的存在,使衬底电压提高。当衬底和源之间的PN结正偏时,电子就从源发射进入衬底。这些电子在源漏之间电场的作用下,被加速,产生电子、空穴的碰撞电离,从而形成更多的电子空穴对,使流过n-p-n晶体管的电流不断增加,最终使NMOS晶体管发生二次击穿,此时的击穿不再可逆,则NMOS管损坏。
为了进一步降低输出驱动上NMOS在ESD时两端的电压,可在ESD保护器件与GGNMOS之间加一个电阻。这个电阻不能影响工作信号,因此不能太大。画版图时通常采用多晶硅(poly)电阻。
只采用一级ESD保护,在大ESD电流时,电路内部的管子还是有可能被击穿。GGNMOS导通,由于ESD电流很大,衬底和金属连线上的电阻都不能忽略,此时GGNMOS并不能箝位住输入接收端栅电压,因为让输入接收端栅氧化硅层的电压达到击穿电压的是GGNMOS与输入接收端衬底间的IR压降。为避免这种情况,可在输入接收端附近加一个小尺寸GGNMOS进行二级ESD保护,用它来箝位输入接收端栅电压,如下图所示。
常见ESD的保护结构和等效电路
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1. esd静电二极管,怎么用万用表测线的阻抗?
1.使用数字万用表测量电阻之前,一般都需要先把数字万用表的指针调在零的位置上,然后可以使用数字万用表开始测量电阻。若要使用数字万用表来测量电阻的话,还应该先把数字万用表摆放在水平的位置,从而避免测量的过程中出现误差。
2.接下来应该把数字万用表上的黑笔插入标注了字母“COM”的插孔中,再把红笔插入标注了字母“VΩ”的插孔中,再选择适合的电阻量程。然后再把黑笔和红笔分别接在电阻的两端。
3.这时一定要注意千万不要用手去触碰黑笔和红笔的金属部位,否则会影响到电阻测量结果的精确性,或者是引发触电事故。然后再把数字万用表的显示屏上所显示的数值和电阻量程的数值结合在一起,就可以得出电阻的测量结果了。
4.使用数字万用表测量电阻的过程中,一般不可以换档位,特别是在测量电压较高的电器时,更是不能换档位,否则容易导致数字万用表出现损坏。假如必须要换档位的话,那么就应该先把黑笔和红笔先断开,然后再开始换挡。
5.测量结束以后,还需要把数字万用表的转换开关电压调到最大的位置。假如长时间不使用数字万用表的话,那么最好是把数字万用表内部的电池拆卸下来,若电池长时间被放置在数字万用表的内部,而数字万用表又长时间没有被使用的话,就容易导致数字万用表内部的器件被腐蚀,导致数字万用表无法正常使用。
2. SMT打首件的基本流程是什么?
在SMT工厂,SMT首件检测机测试流程是怎么样的?
我们先来看一下传统的首件检测流程:
一、操作员送首件和首件报到IPQC台
1、报告的首三行内容要完整填写:并有生产班长、工程、操作员的签名。
二、IPQC收到首件报告后根据内容找出生产通知单,按要求找出BOM、ECN、IQC检验报告、特殊工艺事项。
2.1、BOM要在生产前用彩色的笔分AB面:
2.2、分面的时候要依据PCB的白油丝印,不能使用工程的程序
2.3、ECN发放后要立刻夹在最新的BOM后面并在发放记录上登记
2.4、当新的BOM发放下来后一定要找到旧版本的BOM写上“作废”并上交给工程摧毁。
三、进行首件检査。(校对过程中如有问题请用铅笔在BOM上记录备注。
3.1、BOM其中有一项是提供版本信息内容。第一个校对的信息是PCB版本、客户、机型。
3.2、按IC到阻容料的规律。对IC的型号规格、对IC的方向。
3.3、对高的元件,从大到小,比如变压器、铝电解电容等异形元件。
3.4、对三极管、二级管、灯仔(灯的颜色)的规格和方向,稳压管要测试压降。
3.5、对ESD管、磁珠、保险丝等
3.6、对电容、电阻,依据从大到小原则:1206、0805、0603、0402、0201
3.7、对手帖的物料,USB座、SD卡座、天线、锅仔按钮等,注意方向。
3.8、对BOM的每一项检查是否没有打勾的位号并核对。
3.9、如有样板时请和样板校对一次
3.10、对备注的问题审核一次,如有不清楚时请提示其他部门同事是否有确定时请上级处理。
3.11、检查PCBA的班别记号、日期记号,位置、大小是否合适。
3.12、如果是有BGA的产品,监督工程师在没有过炉前照ⅹ光,检査焊盘和引脚是否对好。
3.13、对首件打Q记号并过炉:检査首件的焊接情况,注意电感、带散热片的IC是否熔锡;照X光。
3.14、将首件挂标示卡送炉后QC,通知QC检查注意事项及一些检查方法。
3.15、如果是带BGA的产品,首批小于5PCS,过炉并照X光,确认没有问题后选一块PCBA标示样板给炉前,作为参考依据。
四、记录
4.1、记录炉温、链带速度等。
4.2、对红胶板要进行推力测试并记录。首件要备注:推力OK.
4.3、对锡膏板要备注锡膏的名称及有铅/无铅。
4.4、记录新ECN的执行、特殊工艺的执行、BOM的编号。
4.5、签名,送班长确认。
五、生产
5.1、通知生产部正常生产
5.2协助和监督炉后的产品标识、隔离。
5.3、生产线每一个工位巡检一
使用FAI-E680首件检测仪流程:
一、操作员将待检首件送至IPQC工作台
二、IPQC收到首件后,按具体型号在检测仪找到相对应的BOM表及坐标文件。
2.1.将BOM表及坐标文件分别导入首件检测系统
2.2.自动对比BOM及坐标文件错误
2.3.自动识别各元件类型及标准值,上下限值
三、首件测试
3.1、新建待测首件测试报表
3.2、将待测首件放入检测仪内,扫描首件图片并自动识别空焊元件
3.3、开始测试阻容元件并自动判定 PASSFAIL(有声光报警)
3.4、对IC、三极管、二极管等不可测量元件,可调出元件库进行型号规格方向对比
四、保存及上传报表
4.1测试完成后,系统自动生成首件测试报表,可以选择保存报表(支持 excel和PDF格式)或上传报表至MES、ERP系统。
FAI-E680智能首件检测仪优势:
1.操作简单,简单培训即可上机操作,非常方便。
2.节约人力,传统SMT做首件需要两个人,现在一个人完全可以担当。
3.节省时间,使用E680智能首件检测仪工作效率可以提升80%以上。
4.防止错漏,所有检测都通过系统记录标记并生成报告,完全杜绝错漏。
3. 静电保护器的作用是什么?
近年来,移动设备手机在生活中扮演了越来越重要的角色,人们用它来娱乐、沟通、工作,根本离不开它。随着手机硬件技术的发展,人们对这种小型设备的要求不再局限于外形和功能,对其集成电路(IC)的稳定性及可靠性更是有了严苛的要求,人们在更多的场合使用手机,这意味着电路必须能够承受温度,电压,电流变动甚至是静电放电的影响。伴随着手机功能多样性的增加,其输入输出接口的增加也使得各种外界骚扰获得了更多的途径入侵到手机设备中。
屏幕、摄像头、扬声器、听筒、耳机插口、键区、MIC、USB接口、音量键、T-Flash卡、SIM卡这些端口都能成为静电的入口,一旦ESD通过经过会损坏芯片造成手机无法正常工作。我们在设计电路时可以使用ESD静电保护器,它的作用是转移来自敏感元件的ESD应力,在极短的效应时间内达到很低的钳位电压,使电流流过保护元件而不对敏感元件造成影响,从而使得ESD事件被有效抑制。
ESD静电保护器主要有两种:ESD二极管和贴片压敏电阻。由于手机上的部分端口都是用来传输数据的,在选择静电保护元件时应该根据传输频率来选择电容值,频率越高,器件的容值就要越低,容值达影响信号丢包。必须考虑如何为设备提供最有效的ESD保护,同时满足系统尺寸和成本的要求。`
4. 怎么看待格力电器30亿参与闻泰科技收购安世集团事件?
怎么看待格力电器30亿参与闻泰科技收购安世集团事件?看来格力电器并不满足于把空调组装好即可。格力电器在董明珠的带领下想要在多方位开花结果,闻泰科技、安世集团都是董明珠想要把他们拉在格力电器产业链里来考虑的对象,让格力电器也在半导体的发展里分得一杯羹。
闻泰科技是全球手机ODM最大公司,具有研发设计及制造手机的公司,可能我们手中所用的一部分手机特别是1000元及以下的各种品牌的手机,即是由闻泰科技所设计研发、制造的手机,只是贴上了别人响当当的品牌而已。而安世集团可是荷兰半导体巨头恩智浦的前标准件业务,集设计、制造、封测一身是典型的垂直整合半导体公司。在全球标准件业务中是全球领先,在二极管和晶体管市场全球排名第一、逻辑器件全球第二、ESD保护器和MOSFETs是全球第二,可见这家公司的实力。
闻泰科技收购安世半导体即是为了打通上游关系,有机会成为中国最有竞争力的半导体公司之一,特别是标准件的供给由此变得通畅而不被外部所卡。而且相对来说,自己内部使用部件价格也有相当的竞争力。但闻泰科技这次的蛇吞象却还是差些实力,安世半导体在短短时间内的估值犹如坐火箭般蹿升,于是拉来了身材胖硕的格力电器。
而格力电器显然也想在半导体领域里好好分享下发展的红利,同时为自己芯片事业的发展带来益处。在前段时间格力电器成立的零边界半导体公司,目的就是为了自己芯片能够自己掌握,而减少对外依赖。本次参与收购安世半导体,目的就是希望整合在自己的芯片产业链条里,有设计研发、也有自己所参股公司高品质的标准件、自家芯片品质能够开花结果,为自家空调事业添砖加瓦,从这个角度看格力电器也是值得花这笔钱参与收购。只是也要擦亮眼睛,避免出现银隆似的坑儿。
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5. esd二极管使用方法?
esd二极管在线路板上与被保护线路并联,当瞬时电压超过电路正常工作电压后,防静电二极管便发生雪崩,提供给瞬时电流一个超低电阻通路。其结果是瞬时电流通过二极管被引开,避开被保护器件,并且在电压恢复正常值之前使被保护回路一直保持截止电压。当瞬时脉冲结束以后,防静电二极管自动回复高阻状态,整个回路进入正常电压。
防静电二极管的使用
1、确定被保护电路的最大直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和“高端”容限。
2、防静电二极管额定反向关断VWM应大于或等于被保护电路的最大工作电压。若选用的VWM太低,器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。串行连接分电压,并行连接分电流。
3、防静电二极管的最大箝位电压VC应小于被保护电路的损坏电压。

4、在规定的脉冲持续时间内,防静电二极管的最大峰值脉冲功耗PM必须大于被保护电路内可能出现的峰值脉冲功率。在确定最大箝位电压后,其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流。
5、对于数据接口电路的保护,还必须注意选取具有合适电容C的防静电二极管器件。
6、根据用途选用防静电二极管的极性及封装结构。交流电路选用双极性防静电二极管较为合理;多线保护选用防静电二极管阵列更为有利。
7、温度考虑。瞬态电压抑制器可以在-55~+150℃之间工作。如果需要防静电二极管在一个变化的温度工作,由于其反向漏电流ID是随增加而增大;功耗随防静电二极管结温增加而下降,从+25℃到+175℃,大约线性下降50%雨击穿电压VBR随温度的增加按一定的系数增加。因此,必须查阅有关产品资料,考虑温度变化对其特性的影响。
防静电二极管可分为单向防静电二极管和双向防静电二极管,单向的有正负极,双向的没有正负极。防静电二极管广泛应用于半导体及敏感零件的保护,二级电源和信号电路的保护,以及防静电等。
6. 适用于rf电路的esd防护器件有哪些?
以下是适用于射频(RF)电路的ESD防护器件的一些常见选择:
1. ESD二极管(ESD diodes):ESD二极管是最常见的ESD防护器件之一。它们具有快速的响应时间和低的漏电流,并且能够有效抑制ESD事件对射频电路的影响。常见的ESD二极管包括:底部弯曲二极管(bottom-bend diode)、金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)和侧方接地二极管(sidewall grounded diode)等。
2. TVS二极管(Transient Voltage Suppressor Diodes):TVS二极管也可以用于射频电路的ESD防护。它们具有较高的功率容量和快速响应速度,能够在电压超过其额定阈值时提供快速的短路路径,以保护射频电路免受ESD事件的损害。
3. Metal Oxide Varistors(MOV):MOV是一种双向电压抑制器,可有效保护射频电路免受ESD事件的瞬态电压冲击。它们具有高电压容限和能量吸收能力,并能提供快速的响应和最小的电压偏移。
选择适合的ESD防护器件应根据具体的应用需求、射频电路的设计和特性来决定。最好在设计阶段与组件供应商或工程师进行咨询,以确保选择合适的ESD防护器件来保护射频电路免受ESD事件的损害。
7. CMOS电路ESD保护结构的设计作用是什么?
答:cmos电路简介
CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)的英文字头缩写,它由绝缘场效应晶体管组成,由于只有一种载流子,因而是一种单极型晶体管集成电路,其基本结构是一个N沟道MOS管和一个P沟道MOS管,如下图所示。
CMOS电路基本结构示意图
cmos电路工作原理
cmos电路分析工作原理如下:
由于两管栅极工作电压极性相反,故将两管栅极相连作为输入端,两个漏极相连作为输出端,如图1(a)所示,则两管正好互为负载,处于互补工作状态。
当输入低电平(Vi=Vss)时,PMOS管导通,NMOS管截止,输出高电平,如图1(b)所示。
当输入高电平(Vi=VDD)时,PMOS管截止,NMOS管导通,输出为低电平,如图1(c)所示。
两管如单刀双掷开关一样交替工作,构成反相器。
主板CMOS电路分析
一、主板CMOS电路分析-主板CMOS电路组成
1. CMOS电路由于要保存CMOS存储器中的信息,在主板断电后,由一块纽扣电池供电使CMOS电路正常工作,保证CMOS存储器中的信息不丢失。CMOS电路在得到不间断的供电和外围专用晶振提供的时钟信号后,将一直处于工作状态,可随时参与唤醒任务(即开机)。
2. CMOS电路主要由CMOS随机存储器.实时时钟电路(包括振荡器.晶振、谐振电容 等)、跳线、南桥芯片、电池及供电电路等几部分组成。
二、主板CMOS电路分析-CMOS随机存储器
CMOS随机存储器的作用是存储系统日期、时间、主板上存储器的容量、硬盘的类型和数目、显卡的类型,当前系统的硬件配置和用户设置的某些参数等重要信息,开机时由BIOS对系统自检初始化后,将系统自检到的配置与CMOS随机存储器中的参数进行比较,正确无误后才启动系统。
三、主板CMOS电路分析-实时时钟电路
1.实时时钟电路的作用是产生32. 768kHz的正弦波形时钟信号,负责向CMOS电路和开机电路提供所需的时钟信号(CLK)。实时时钟电路主要包括振荡器(集成在南桥中)、32.768kHz的晶振、谐振电容等元器件。
CMOS电路分析ESD保护结构的设计
大部分的ESD电流来自电路外部,因此ESD保护电路一般设计在PAD旁,I/O电路内部。典型的I/O电路由输出驱动和输入接收器两部分组成。ESD 通过PAD导入芯片内部,因此I/O里所有与PAD直接相连的器件都需要建立与之平行的ESD低阻旁路,将ESD电流引入电压线,再由电压线分布到芯片各个管脚,降低ESD的影响。具体到I/O电路,就是与PAD相连的输出驱动和输入接收器,必须保证在ESD发生时,形成与保护电路并行的低阻通路,旁路 ESD电流,且能立即有效地箝位保护电路电压。而在这两部分正常工作时,不影响电路的正常工作。
常用的ESD保护器件有电阻、二极管、双极性晶体管、MOS管、可控硅等。由于MOS管与CMOS工艺兼容性好,因此常采用MOS管构造保护电路。
CMOS工艺条件下的NMOS管有一个横向寄生n-p-n(源极-p型衬底-漏极)晶体管,这个寄生的晶体管开启时能吸收大量的电流。利用这一现象可在较小面积内设计出较高ESD耐压值的保护电路,其中最典型的器件结构就是栅极接地NMOS(GGNMOS,GateGroundedNMOS)。
在正常工作情况下,NMOS横向晶体管不会导通。当ESD发生时,漏极和衬底的耗尽区将发生雪崩,并伴随着电子空穴对的产生。一部分产生的空穴被源极吸收,其余的流过衬底。由于衬底电阻Rsub的存在,使衬底电压提高。当衬底和源之间的PN结正偏时,电子就从源发射进入衬底。这些电子在源漏之间电场的作用下,被加速,产生电子、空穴的碰撞电离,从而形成更多的电子空穴对,使流过n-p-n晶体管的电流不断增加,最终使NMOS晶体管发生二次击穿,此时的击穿不再可逆,则NMOS管损坏。
为了进一步降低输出驱动上NMOS在ESD时两端的电压,可在ESD保护器件与GGNMOS之间加一个电阻。这个电阻不能影响工作信号,因此不能太大。画版图时通常采用多晶硅(poly)电阻。
只采用一级ESD保护,在大ESD电流时,电路内部的管子还是有可能被击穿。GGNMOS导通,由于ESD电流很大,衬底和金属连线上的电阻都不能忽略,此时GGNMOS并不能箝位住输入接收端栅电压,因为让输入接收端栅氧化硅层的电压达到击穿电压的是GGNMOS与输入接收端衬底间的IR压降。为避免这种情况,可在输入接收端附近加一个小尺寸GGNMOS进行二级ESD保护,用它来箝位输入接收端栅电压,如下图所示。
常见ESD的保护结构和等效电路
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